Physics / Fizik
Permanent URI for this collectionhttps://hdl.handle.net/11147/6
Browse
8 results
Search Results
Research Project Üstüniletken MgB2 tellerin üretimi ve karakterizasyonu(TÜBİTAK - Türkiye Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Kurumu, 2005) Okur, Salih; Özyüzer, Lütfi; Abukay, Doğan; Emirdağ, Mehtap; Tanoğlu, Metin; Eğilmez, MehmetMgB2 alaşımının 39 K lik Tc kritik sıcaklığına sahip bir üstüniletken olduğunun 2001 de keşfedilmesi çok iyi üstüniletken olduğu bilinen NbTi ve NbsSn malzemelerinin yanısıra uygulamaya daha yakın yeni bir üstüniletken malzeme olma ümidini de artırmıştır. O günden bu güne MgB2 üstüniletken tellerin üretilmesi konusunda çok etkileyici bir aşama kaydedilmiştir. Daha yüksek kritik akım yoğunluğuna ulaşmak için gerekli parametrelerin araştırılması konusunda birkaç teknik geliştirilmiştir. Bunların arasında 'tüp içinde toz ' (TIT) adı verilen metot diğerlerine göre daha pratik ve ümit verici gözükmektedir. Bazı metal ve alaşımların TIT işleminde kılıf malzeme olarak kullanılmaya uygun bulunmuştur. Bunlardan demir ve alaşımları kısmen MgB2 özelliğini bozmadığı gibi manyetik ekranlama yaparak dış manyetik alanların kritik akım üzerindeki yan etkilerini azaltarak daha yüksek değerlere ulaşılmıştır. TIT yöntemi ile MgB2 üretimi sırasında iki farklı teknik vardır. Birisinde reaktif MgB2 tozlar kulanılırken diğerinde belli kimyasal oranlarda karıştırılmış reaktif olmayan Mg+2B tozları kullanılmaktadır. Daha sonra bu tozlar reaksiyon yapmayan bir tüp veya kapsül içine kapatılıp 900 ile 1000 °C civarında belirli bir süre tavlanmaktadır. Bu yöntem ile Demir kılıflı MgB2 üstüniletken tellerinden 15 K de 10 A/cm civarında bir Jc kritik akım yoğunluğuna ulaşılmıştır. Bu projede ilk adım olarak borik asitten M&B2 elde edilmiş ve elde edilen MgB2 in yapısını XRD ve SEM EDX mikroskopu ile karakterize edilmiştir. Uygun bir saflığa sahip MgB2 e ulaşıldığında elektriksel ve manyetik özellikleri pellet haline getirilip incelenmiştir, ikinci adımda ise üretilen MgB2 tozlarından üstüniletken MgB2 tel ve teyplerin TIT yöntemi ile üretilmiştir ve Cu, Fe, ve paslanmaz çelik gibi MgB2 ile etkileşmeyen malzemeler kılıf olarak kullanılanarak üretilmeye çalışılmış ve bu üstüniletken MgB2 tellerin özdirenç ve manyetik alana bağlı olarak kritik akım (Jc) karakteristiğinin sıcaklığa bağımlılığı incelenmiştir.Research Project Üstüniletken magnezyum borür (MgB2) tellerinin yüksek akım ve yüksek manyetik alan uygulamaları için geliştirilmesi(2008) Okur, Salih; Tarhan, Enver; Büyükköse, Serkan; Özyüzer, Lütfi; Tanoğlu, Metin; Emirdağ, Mehtap[No Abstract Available]Research Project Nanokompozit malzemelerin polimer ve tabakalı kil yapılardan geliştirilmesi ve karakterizasyonu(2009) Tanoğlu, Metin; Okur, Salih[No Abstract Available]Research Project Süperiletkenlerdeki Josephson girdap akısının terahertz ışıması(2008) Özyüzer, Lütfi; Okur, Salih; Tarı, Süleyman; Şimşek, Yılmaz; Ulucan, Savaş; Özdemir, Mehtap; Köseoğlu, Hasan[No Abstract Available]Research Project Ultrason kontrast ajanlarının geliştirilmesi ve karakterizasyonu(2012) Özdemir, Sevgi Kılıç; Özdemir, Ekrem; Okur, SalihUltrasonografi, bata koroner kalp damar hastalklar (ekokardiografi) olmak üzere, çeitli hastalklarn tehisinde kullanlan ve maliyet etkinli i olan bir diagnostik görüntüleme yöntemidir. Ultrasonda görüntü, transdüserden gönderilen ses dalgalarnn geriye yansmas sonucu olumaktadr. Ancak, baz durumlarda çevreleyen dokulardan gelen arka plan sinyaller yöntemin hassasiyetini azaltmakta, do ru tehis için yeterince net bir görüntü elde edilememektedir. Görüntü kalitesinin artrlmas için kontrast ajan olarak adlandrlan mikroköpükçükler kullanlmaktadr. Ayrca, mikroköpükçükler ilaç, gen, ve DNA tamakta ve kontrollü salmlarda da kullanlmaktadr. Mikroköpükçüklerin bu ve daha nitelikli alanlarda kullanlabilmeleri için, yaplarnn güçlendirilmesi ve stabilitelerinin artrlmalar gerekmektedir.Article Citation - WoS: 2Citation - Scopus: 2Scanning Probe Oxidation Lithography on Ta Thin Films(American Scientific Publishers, 2008) Okur, Salih; Büyükköse, Serkan; Tarı, SüleymanA Semi-Contact Scanning Probe Lithography Technique (SC-SPL) has been applied to create nano-oxide patterns on Ta thin films grown by DC magnetron sputtering method on SiO 2/Si substrates. The height and linewidth profiles of nano-oxide lines created by a conductive AFM tip on Ta film surfaces were measured as a function of applied voltage, oxidation time, humidity, and tip apex curvature. The AFM surface measurements show that the height of the oxides increases linearly with increasing voltage; but there was no oxide growth, when less than 4 V was applied even at 85% relative humidity. Electrical measurements were performed and the resistivities of the TaO x layer and Ta film were obtained as 5.76 × 10 8 and 1.4 × 10 5 Ohm-cm, respectively.Article Citation - WoS: 26Citation - Scopus: 24Effect of Ta Buffer Layer and Thickness on the Structural and Magnetic Properties of Co Thin Films(AVS Science and Technology Society, 2009) Vahaplar, Kadir; Tarı, Süleyman; Tokuç, Hüseyin; Okur, SalihSingle Co and Ta/Co bilayers were grown on Si(100) substrates in a magnetron sputtering system. The effect of Ta buffer layer and the thickness of Co layer on the structural and magnetic properties of the Co layers has been studied. A single Co layer shows a textured structure above thickness of 40 nm according to the x-ray diffraction (XRD) pattern. The magnetic properties of Co layers depend significantly on the thickness of the films. Ta grows as highly textured Β -Ta (tetragonal) phase on Si with a smooth surface. The XRD and atomic force microscopy results show that the Ta buffer layer improves the structural properties dramatically, resulting in a strongly textured and smoother surface morphology. The Ta layer also affects the magnetic properties of Co layers to a large extent, especially inducing an in-plane anisotropy in thin Co films.Conference Object Citation - WoS: 76Citation - Scopus: 80Stability of Microcrystalline Silicon for Thin Film Solar Cell Applications(Institute of Electrical Engineers, 2003) Finger, Friedhelm; Carius, Reinhard; Dylla, Thorsten; Klein, Stefan; Okur, Salih; Güneş, MehmetThe development of microcrystalline silicon (μc-Si:H) for solar cells has made good progress with efficiencies better than those of amorphous silicon (a-Si:H) devices. Of particular interest is the absence of light-induced degradation in highly crystalline μc-Si:H. However, the highest efficiencies are obtained with material which may still include a-Si:H regions and light-induced changes may be expected in such material. On the other hand, material of high crystallinity is susceptible to in-diffusion of atmospheric gases which, through adsorption or oxidation, affect the electronic transport. Investigations are presented of such effects concerning the stability of μc-Si:H films and solar cells prepared by plasma-enhanced chemical vapour deposition and hot wire chemical vapour deposition.