Physics / Fizik
Permanent URI for this collectionhttps://hdl.handle.net/11147/6
Browse
4 results
Search Results
Research Project Süperiletkenlerdeki Josephson girdap akısının terahertz ışıması(2008) Özyüzer, Lütfi; Okur, Salih; Tarı, Süleyman; Şimşek, Yılmaz; Ulucan, Savaş; Özdemir, Mehtap; Köseoğlu, Hasan[No Abstract Available]Research Project Magnetron sputtering yöntemiyle büyütülen manyetik tünel eklemleri' nin yapısal, elektronik ve manyetik özelliklerinin incelenmesi(2009) Tarı, Süleyman; Özyüzer, Lütfi; Selamet, Yusuf; Vahaplar, Kadir; Tokuç, Hüseyin; Alagöz, Serhat HüseyinElektronun spin özelliğini kullanarak yeni elektronik aygıtların yapılması son zamanlarda çok yoğun araştırma konusu olmuştur. Bu aygıtlara spinin kontrol edilmesinden dolayı spintronik aygıtlar denmektedir. İki ferromanyetik katman arasına konulan bir yalıtkan bariyerden oluşan yapıya manyetik tünel eklemi denir. Elektronun bu katmanlardan yüzeye dik olarak geçisi quantum mekaniksel tünelleme olayı sayesindedir. Manyetik alan altında göstereceği direnç ferromanyetik katmanların birbirlerine göre manyetik yönelimlerine bağlıdır. Bu dirence tünel manyetik direnç (TMR) denir ve yüksek TMR değeri elde edilmesi spintronik aygıtların daha küçük ve yoğun yapılabilmesine yol açar. Bununla birlikte hızlı bilgi iletimi için FM/Y ara yüzeyinde direnç-alan çarpımının (RA) küçültülerek (~1Ω(μm)2 ) yüksek sinyal-gürültü oranı elde eldilmesi gerekmektedir. Bunun için iki yöntem kullanılmaktadır: yalıtkan filmin kalınlığını inceltmek (~1nm) veya arayüzeyde oluşan bariyer yüksekliğini küçültmek. İkinci yöntemde, küçük bant aralığına sahip yalıtkanların kullanılması gerekir. Yalıtkan olarak Ta2O5 kullanılması yenidir. Ta2O5 bant aralığı ~3.5eV’ tur ve FM/Ta2O5 arayüzeyinde ~ 0.4 eV bariyer yüksekliği verir. Bu projede Farklı FM katmanlar ve bariyerler kullanılarak MTJ’ ler büyütülmüşlerdir. Öncelikle Ta2O5 olmak üzere Al2O3, MgO bariyer olarak kulanılmıştır. MTJ’ ler iki farklı yöntem ile elde edilmiş ve manyetik direnç ölçümleri yapılmıştır. Spin kutuplanmış elektronların geçişini kontrol eden ve FM katmanlarının yönelimlerinin değiştirilmesi için gerekli olan farklı Hc değerlerine sahip FM filmler kullanılmıştır. Sürekli olarak büyütülen filmlerin yapısal, ve manyetik özellikleri çalışılmıştır. Elektriksel ölçümlerden oluşturulan bazı MTJ yapılarda, %3.5 dolayında TMR değeri bulunmuştur. Fotoelektron spektroskopisi analizlerinden ferromanyetik katmanların oksitlendiği görülmüş, ayrıca manyetik analizlerden ferromanyetik/(yalıtkan, metal) arayüzeylerde manyetik ölü katmanların varlığı tespit edilmiştir.Article Citation - WoS: 2Citation - Scopus: 2Scanning Probe Oxidation Lithography on Ta Thin Films(American Scientific Publishers, 2008) Okur, Salih; Büyükköse, Serkan; Tarı, SüleymanA Semi-Contact Scanning Probe Lithography Technique (SC-SPL) has been applied to create nano-oxide patterns on Ta thin films grown by DC magnetron sputtering method on SiO 2/Si substrates. The height and linewidth profiles of nano-oxide lines created by a conductive AFM tip on Ta film surfaces were measured as a function of applied voltage, oxidation time, humidity, and tip apex curvature. The AFM surface measurements show that the height of the oxides increases linearly with increasing voltage; but there was no oxide growth, when less than 4 V was applied even at 85% relative humidity. Electrical measurements were performed and the resistivities of the TaO x layer and Ta film were obtained as 5.76 × 10 8 and 1.4 × 10 5 Ohm-cm, respectively.Article Citation - WoS: 26Citation - Scopus: 24Effect of Ta Buffer Layer and Thickness on the Structural and Magnetic Properties of Co Thin Films(AVS Science and Technology Society, 2009) Vahaplar, Kadir; Tarı, Süleyman; Tokuç, Hüseyin; Okur, SalihSingle Co and Ta/Co bilayers were grown on Si(100) substrates in a magnetron sputtering system. The effect of Ta buffer layer and the thickness of Co layer on the structural and magnetic properties of the Co layers has been studied. A single Co layer shows a textured structure above thickness of 40 nm according to the x-ray diffraction (XRD) pattern. The magnetic properties of Co layers depend significantly on the thickness of the films. Ta grows as highly textured Β -Ta (tetragonal) phase on Si with a smooth surface. The XRD and atomic force microscopy results show that the Ta buffer layer improves the structural properties dramatically, resulting in a strongly textured and smoother surface morphology. The Ta layer also affects the magnetic properties of Co layers to a large extent, especially inducing an in-plane anisotropy in thin Co films.