GCRIS

Now showing 1 - 4 of 4

Üstüniletken magnezyum borür (MgB2) tellerinin yüksek akım ve yüksek manyetik alan uygulamaları için geliştirilmesi
(2008) Okur, Salih; Tarhan, Enver; Büyükköse, Serkan; Özyüzer, Lütfi; Tanoğlu, Metin; Emirdağ, Mehtap
[No Abstract Available]
Yüksek Kalite İnce Kataliz Filmler Üzerine Kimyasal Buhar Biriktirme Yöntemleri ile Kontrollü Grafen Büyütülmesi, Karakterizasyonu ve Uygulamaları
(2016) Selamet, Yusuf; Öztürk, Orhan; Tarhan, Enver
Grafen hem çok hafif hem de çelikten kat kat sağlam bir malzemedir. Aynı zamanda görünür bölgede geçirgendir ve metalik özellik gösterir. Grafen değişik şekillerde kesildiğinde bir bant aralığı oluşur ve bunlardan üstün özellikli devre elemanları üretilebilir. Grafen’de elektronik alanında Si’un yerini alacak potansiyel görülmektedir. Bunlarla tek atom kalınlığında elektronik, nano-boyutlu aygıtlar yapılabilir ve normal yarıiletkenlerin boyutlarının daha da küçülmesini sınırlayan kuantum tünelleme olayından etkilenmezler. Grafen kuantum ve rölativistik fizik ile ilgili birçok deneyleri, milyarlarca dolar harcanarak oluşturulan hızlandırıcılara gerek kalmadan basit laboratuvar ortamında yapma olanağı sunar. Grafen’in içerdiği benzersiz fizik tamamen yeni cihazların tasarımlanmasına yol açabilecek yeniliktedir.
Metal-yalıtkan Geçiş Özellikli Vo2 ile Gate Oksitli ve Gate Oksitsiz Alan Etkili Aygıt
(2017) Aygün, Gülnur; Tarhan, Enver
Vanadyum dioksit (VO2) yaklaşık olarak 68 °C'de metal-yalıtkan geçiş özelliği göstermektedir. VO2 düşük sıcaklıklarda yalıtkan fazda bulunurken, geçiş sıcaklığına göre yüksek sıcaklıklarda metalik fazda bulunur. Geçiş sıcaklığında, VO2'nin özdirenci ani bir şekilde 10^4 oranında değişim gösterir ve bu özelliğinden dolayı hızlı elektronik cihazlarda kullanılma potansiyeli oldukça yüksektir. VO2 alan etkili transistör uygulamalarında önemli bir rol oynamaktadır. VO2 gösterdiği elektriksel özellikler sebebiyle alan etkili transistörlerde kanal görevi görmektedir. VO2 malzemesinin elektrik alan altında değişen elektriksel özellikleri, VO2'yi alan etkili transistörlerde kanal malzemesi olarak kullanılmasını mümkün kılmaktadır. Bu özellikler göz önünde bulundurulduğunda VO2 kanal görevi görecek şekilde iki farklı tipte FET üretilmiştir. Birinci tip FET üretiminde, VO2'ye temas etmeksizin, arada hava bırakılarak VO2'nin altına ve üstüne, iki adet altın gate tabakası buharlaştırılmıştır. Altın gate tabakalarının VO2'ye hiçbir şekilde fiziksel teması olmadığından, VO2 içerisine malzeme difüz etmesi de söz konusu değildir. Bu ise VO2'nin MIT özelliğini etkilemeden, e-demeti litografi tekniği sayesinde çok detaylı hatlara sahip olan FET üretebilmemizi sağlamıştır. İkinci tip FET üretiminde ise VO2'nin üretilip e-demeti ile şekillendirilmesi aşamasına kadarki yapılacak işlemler birinci tip FET üretimi ile aynıdır. HfO2 ince filmi gate dielektrik olarak kullanılmıştır. VO2 kanalları üzerine, DC saçtırma yöntemi ile HfO2 gate dielektrik büyütülmüştür. HfO2 gate dielektrik tabakası üzerine Au/Al gate tabakası buharlaştırılmıştır. Devamında ise, iki farklı tipte üretilen FET yapılarındaki (tip 1 ve tip 2) VO2 kanal tabakasının, prob istasyonu kullanılarak vakum ortamında sıcaklığa bağlı olarak, voltaj altında MIT karakterizasyonları yapılmıştır.
Citation - WoS: 3
Citation - Scopus: 3
Local Vibrational Modes of Natural Isotopes of Substitutional Oxygen in Cdte
(TÜBİTAK - Türkiye Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Kurumu, 2020) Tarhan, Enver; Ramdas, Anant K.
We investigated the localized vibrational modes (LVM) of natural oxygen containing ${}^{16}O,\;{}^{17}O$ and ${}^{18}O$ isotopes at a substitutional tellurium site in cadmium telluride using infrared absorption spectroscopy at cryogenic temperatures. The main absorption peak observed at 350 cm ?1 was formerly attributed to a fundamental LVM mode (?0) of oxygen at a tellurium site. The relatively weak absorption peaks observed at 331 $cm^{-1}$ and 340 $cm^{-1}$ are assigned as the same $\nu_0$ mode of the ${}^{17}O$ and ${}^{18}O$ isotopes, respectively, based on their relative intensities and spectral positions. The spectral positions were confirmed with theoretical calculations using a linear chain model where the peak position at 350$cm^{-1}$ was taken as the reference for the ${}^{16}O$ isotope. From a least square analysis of the observed peak positions we were able to calculate the force constants from perturbation theory. A Lorentzian line shape analysis of each $\nu_0$ absorption peak, considering the effects of isotopic mass and natural abundance variations of the host Cd atoms, was also carried out to further confirm their assignments. Reasonably good line shape fittings were obtained for $\nu_0$ modes of all isotopes of oxygen.

Physics / Fizik

Browse

Filters

Settings

Sort By

Results per page

Search Results