This item is non-discoverable
Ata, Bengü
Loading...
Profile URL
Name Variants
Job Title
Email Address
Main Affiliation
01. Izmir Institute of Technology
Status
Website
ORCID ID
Scopus Author ID
Turkish CoHE Profile ID
Google Scholar ID
WoS Researcher ID
Sustainable Development Goals
1NO POVERTY
0
Research Products
2ZERO HUNGER
0
Research Products
3GOOD HEALTH AND WELL-BEING
0
Research Products
4QUALITY EDUCATION
0
Research Products
5GENDER EQUALITY
0
Research Products
6CLEAN WATER AND SANITATION
0
Research Products
7AFFORDABLE AND CLEAN ENERGY
0
Research Products
8DECENT WORK AND ECONOMIC GROWTH
0
Research Products
9INDUSTRY, INNOVATION AND INFRASTRUCTURE
1
Research Products
10REDUCED INEQUALITIES
0
Research Products
11SUSTAINABLE CITIES AND COMMUNITIES
0
Research Products
12RESPONSIBLE CONSUMPTION AND PRODUCTION
0
Research Products
13CLIMATE ACTION
0
Research Products
14LIFE BELOW WATER
0
Research Products
15LIFE ON LAND
0
Research Products
16PEACE, JUSTICE AND STRONG INSTITUTIONS
0
Research Products
17PARTNERSHIPS FOR THE GOALS
0
Research Products
This researcher does not have a Scopus ID.
This researcher does not have a WoS ID.
No records found in other affiliations.
Scholarly Output
3
Articles
1
Views / Downloads
7947/1446
Supervised MSc Theses
1
Supervised PhD Theses
0
WoS Citation Count
4
Scopus Citation Count
5
Patents
0
Projects
0
WoS Citations per Publication
1.33
Scopus Citations per Publication
1.67
Open Access Source
3
Supervised Theses
1
| Journal | Count |
|---|---|
| Journal of Vacuum Science and Technology B | 1 |
Current Page: 1 / 1
Scopus Quartile Distribution
Competency Cloud
3 results
Scholarly Output Search Results
Now showing 1 - 3 of 3
Publication Terahertz Uygulamaları için Sıcaklığı Yükseltilmiş Kuantum Kademeli Lazerler(2019) Özyüzer, Lütfi; Ata, Bengü; Aygün, Gülnur; Özyüzer, Gülnur Aygün; 01. Izmir Institute of Technology; 04. Faculty of Science; 04.05. Department of PyhsicsKimyasal ve biyolojik illegal maddelerin saptanması, tıbbi ve güvenlik uygulamaları, astrofizik, uzaktan algılama ve izleme, ultra-hızlı sinyal işleme gibi birçok potansiyel uygulama alanı bulunan Terahertz (THz) frekans aralığının (0.1-10 THz, Lamda 0.03-3 mm) gelişmesine, güçlü, kompakt ve tek fazlı ışıma kaynaklarının eksikliği engel olmaktadır. Milliwattan çok daha fazla ortalama optik güç seviyelerine sahip, tek katıhal THz kaynağı olan kuantum kademeli lazerler (QCL), THz biliminde en popüler konulardan biridir. QCL'lerde, THz ışıması kuantum kuyusu GaAs/AlGaAs heteroyapılarda bant içi ışınımlı geçişlerden elde edilir. Bant içi optik geçişler doğal olarak tek kutupludur ve tamamen iletim bandının (ya da valans bandının) alt bantları arasında gerçekleşir. Bu, bir taşıyıcı başına çok sayıda foton elde etmek için süperörgü (lattice) heteroyapıların (modül) birçok kez tekrarlanmasını sağlar. Işığın dalgaboyu malzemenin bant aralığı tarafından belirlenmediğinden QCL'ler genellikle bant mühendisliğinin başlıca örneği olarakta adlandırılır. Ancak, çalışma sıcaklığı (Tmax ~ 200 K), lazer verimi ve gücü, ışığın kalitesi, frekans kararlılığı ve frekans ayarlanması konusunda daha fazla araştırma yapılmasına gerek vardır. THz QCL'lerin kroyojenik olarak soğutulması gerekmektedir ve QCL'ler için düşük kayıplı dalga kılavuzu tasarımı önemlidir. Gerçekleştirilen bu projede, GaAs/AlGaAs QCL'lerin birleştirme teknolojisi geliştirilerek yüksek sıcaklıklarda çalışmaları araştırılmıştır. Düşük iletim bant ofset değerleri nedeniyle, GaAs/AlGaAs heteroyapılar bu çalışmada aktif katman olarak kullanılmıştır. MBE ile büyütülmüş çok katmanlı kuantum kuyuları Sandia Ulusal Laboratuvarından temin edilmiştir. GaAs/AlGaAs QCL'lerin sıcaklık performansı dalga kılavuz kaybı düşük olan Cu-Cu dalga kılavuzları kullanılarak geliştirilmiştir. Yüksek termal iletken ve düşük sıcaklıkta bağ yapma yeteneği bakımından cazip bir seçenek olduğu için Cu kullanılmıştır. Sıcaklık performansının daha da iyileştirilmesi için öncelikle mıknatıssal saçtırma sistemi içerisinde yeni bir ısılbaskı (thermocompression) tasarlanmış ve dalga kılavuzu tasarımı için gerekli metal katmanlar mıknatıssal saçtırma ve ısıl buharlaştırma tekniğiyle ard arda kaplanarak, vakumdan çıkarılmadan aynı vakum odacığı içerisinde yapıştırılmıştır (bonding). Bu şekilde bakır oksit ve birleştirilen ara yüzeyde boşlukların oluşumu önlenmiş ve bu sayede üstün bir termal iletim sağlanmıştır. GaAs/AlGaAs kuantum kademeli lazerler, geliştirilmiş birleştirme teknolojisi ile cihazların performansının arttırılması için çalışmalar yapılmıştır. Polonya grubu aynı pullar uzerine tüm proses parametreleri aynı olmak üzere standart yöntemler kullanarak yani Cu-Cu yapıştırmayı havada yaparak numuneleri hazırlamıştır. Bu sayede in-situ ile havada yapıştırma prosesleri karşılaştırılmıştır. THz QCL?lerin üretiminden sonra oluşturulan ara yüzlerin düzgünlüğü yani Cu-Cu yapıştırma kalitesi ve yapısal karakterizasyonu optik mikroskop ve taramalı elektron mikroskobu (SEM) kullanılarak incelenmiştir.Master Thesis The Growth of Vanadium Dioxide Thin Films by Magnetron Sputtering Technique and Terahertz Wave Modulation Characteristics(01. Izmir Institute of Technology, 2020) Özyüzer, Lütfi; Ata, Bengü; Özyüzer, Lütfi; 01. Izmir Institute of Technology; 04.05. Department of Pyhsics; 04. Faculty of ScienceVanadium dioxide (VO2) is a fascinating material thanks to its unique insulator-metal transition (IMT) at 68 °C which is very close to the room temperature. This reversible change in electrical resistivity is around several orders of magnitude and the electrical change accompanied by optical and structural change as well. Thanks to these unique properties vanadium dioxide material has been studied intensively past decades. This phase transition allows us to apply the transition properties widen application such as field effect transistor (FET), uncooled bolometers, tunable metamaterial filters, high data rate wireless communication etc. Especially for terahertz region which is the most unexplored region of the electromagnetic spectrum, vanadium dioxide is a promising material having ability to modulate terahertz waves by IMT phenomena. In this work, vanadium dioxide (VO2) thin films fabricated by reactive DC magnetron sputtering method and its properties optimized to minimize the amounts of secondary phases by optimizing the oxygen concentration, sputtering power and deposition time. Samples which show the maximum resistivity change during the transition have been used for the terahertz modulation experiments. It has been observed that when the VO2 samples triggered by continuous wave (CW) laser, VO2 transforms to the metallic phase, behave as an opaque material to the terahertz wave. At room temperature, in insulating phase it is partially transparent to terahertz radiation. This results indicate that VO2 thin films can be a good candidate for THz wave modulators.Article Citation - WoS: 4Citation - Scopus: 5Enhanced Optoelectronic Properties of Magnetron Sputtered Ito/Ag Multilayers by Electro-Annealing(AVS, 2022) Uyanık, Zemzem; Türkoğlu, Fulya; Demirhan, Yasemin; Ekmekçioğlu, Merve; Ata, Bengü; Ata, Bengü; Özdemir, Mehtap; Aygün, Gülnur; Uyanık, Zemzem; Özdemir, Mehtap; Aygün, Gülnur; Özyüzer, Lütfi; 04.05. Department of Pyhsics; 01. Izmir Institute of Technology; 04. Faculty of ScienceIndium tin oxide/silver/indium tin oxide (ITO/Ag/ITO) multilayers have attracted much attention to fulfill the growing need for high-performance transparent conducting oxide electrodes. To make these transparent multilayers work better, electro-annealing, which is a method of self-heating by electric current, can be effective. Moreover, the effect of current on ITO/Ag/ITO multilayers should be investigated to make sure that electronic devices will be reliable over their lifetime. In this study, ITO/Ag/ITO multilayer electrodes with varying Ag thicknesses were grown by DC magnetron sputtering at room temperature. Structural, optical, and electrical properties of these multilayers were investigated before and after electro-annealing. Measurement results revealed that improved optical transmittance and sheet resistance can be obtained by the optimization of Ag thickness for the as-grown ITO/Ag/ITO layers. The highest figure of merit (FoM) value of 17.37 × 10−3 Ω−1 with optical transmittance of 85.15% in the visible region and sheet resistance of 11.54 Ω/□ was obtained for the Ag thickness of 16.5 nm for as-grown samples. The electro-annealing of as-grown ITO/Ag/ITO multilayers led to improved optical behavior of the multilayer structure over a wide spectral range, especially in the near-infrared range. Electro-annealing also provided an improvement in the crystallinity and sheet resistance of the electrodes. The improvement of the electrical and optical properties of the structure enabled a FoM of 23.07 × 10−3 Ω−1 with the optical transmittance of 86.80% in the visible region and sheet resistance of 10.52 Ω/□. The findings of this work provide proper knowledge of the properties of ITO/Ag/ITO multilayers under electrical current and suggest that the overall performance of the multilayers can be improved by the electro-annealing process.