Chemistry / Kimya
Permanent URI for this collectionhttps://hdl.handle.net/11147/4072
Browse
4 results
Search Results
Research Project Üstüniletken MgB2 tellerin üretimi ve karakterizasyonu(TÜBİTAK - Türkiye Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Kurumu, 2005) Okur, Salih; Özyüzer, Lütfi; Abukay, Doğan; Emirdağ, Mehtap; Tanoğlu, Metin; Eğilmez, Mehmet; 04.05. Department of Pyhsics; 03.10. Department of Mechanical Engineering; 04.01. Department of Chemistry; 03. Faculty of Engineering; 04. Faculty of Science; 01. Izmir Institute of TechnologyMgB2 alaşımının 39 K lik Tc kritik sıcaklığına sahip bir üstüniletken olduğunun 2001 de keşfedilmesi çok iyi üstüniletken olduğu bilinen NbTi ve NbsSn malzemelerinin yanısıra uygulamaya daha yakın yeni bir üstüniletken malzeme olma ümidini de artırmıştır. O günden bu güne MgB2 üstüniletken tellerin üretilmesi konusunda çok etkileyici bir aşama kaydedilmiştir. Daha yüksek kritik akım yoğunluğuna ulaşmak için gerekli parametrelerin araştırılması konusunda birkaç teknik geliştirilmiştir. Bunların arasında 'tüp içinde toz ' (TIT) adı verilen metot diğerlerine göre daha pratik ve ümit verici gözükmektedir. Bazı metal ve alaşımların TIT işleminde kılıf malzeme olarak kullanılmaya uygun bulunmuştur. Bunlardan demir ve alaşımları kısmen MgB2 özelliğini bozmadığı gibi manyetik ekranlama yaparak dış manyetik alanların kritik akım üzerindeki yan etkilerini azaltarak daha yüksek değerlere ulaşılmıştır. TIT yöntemi ile MgB2 üretimi sırasında iki farklı teknik vardır. Birisinde reaktif MgB2 tozlar kulanılırken diğerinde belli kimyasal oranlarda karıştırılmış reaktif olmayan Mg+2B tozları kullanılmaktadır. Daha sonra bu tozlar reaksiyon yapmayan bir tüp veya kapsül içine kapatılıp 900 ile 1000 °C civarında belirli bir süre tavlanmaktadır. Bu yöntem ile Demir kılıflı MgB2 üstüniletken tellerinden 15 K de 10 A/cm civarında bir Jc kritik akım yoğunluğuna ulaşılmıştır. Bu projede ilk adım olarak borik asitten M&B2 elde edilmiş ve elde edilen MgB2 in yapısını XRD ve SEM EDX mikroskopu ile karakterize edilmiştir. Uygun bir saflığa sahip MgB2 e ulaşıldığında elektriksel ve manyetik özellikleri pellet haline getirilip incelenmiştir, ikinci adımda ise üretilen MgB2 tozlarından üstüniletken MgB2 tel ve teyplerin TIT yöntemi ile üretilmiştir ve Cu, Fe, ve paslanmaz çelik gibi MgB2 ile etkileşmeyen malzemeler kılıf olarak kullanılanarak üretilmeye çalışılmış ve bu üstüniletken MgB2 tellerin özdirenç ve manyetik alana bağlı olarak kritik akım (Jc) karakteristiğinin sıcaklığa bağımlılığı incelenmiştir.Research Project Üstüniletken magnezyum borür (MgB2) tellerinin yüksek akım ve yüksek manyetik alan uygulamaları için geliştirilmesi(2008) Okur, Salih; Tarhan, Enver; Büyükköse, Serkan; Özyüzer, Lütfi; Tanoğlu, Metin; Emirdağ, Mehtap; 04.05. Department of Pyhsics; 03.10. Department of Mechanical Engineering; 04.01. Department of Chemistry; 03. Faculty of Engineering; 04. Faculty of Science; 01. Izmir Institute of Technology[No Abstract Available]Article Citation - WoS: 12Citation - Scopus: 12Modification of Metal/Semiconductor Junctions by Self-Assembled Monolayer Organic Films(Elsevier Ltd., 2009) Yakuphanoğlu, Fahrettin; Okur, Salih; Okur, Salih; Özgener, Hüseyin; 04.05. Department of Pyhsics; 04.01. Department of Chemistry; 04. Faculty of Science; 01. Izmir Institute of TechnologyTwo new metal/molecule/semiconductor contacts, Au/n-Si/TDA/Au and Au/p-Si/ODM/Au, were fabricated to understand effect of organic compounds, tridecylamine and octadecylmercaptan self-assembled monolayer (SAM) films, on electrical charge transport properties of the metal/semiconductor junctions. The morphology of the organic monolayers deposited on Si substrates was investigated by atomic force microscopy. The molecular coverage of ODM deposited on p-Si is poorer than that of TDA on n-Si substrate. The ideality factors of the p-Si/ODM and n-Si/TDA diodes were found to be 1.66 and 1.48, respectively. The electrical results show that the tridecylamine monolayer passivated junction has a lower ideality factor. The ideality factor indicates clear dependence on two different type functional groups R-SH (Thiol) and R-NH2 (Amin) groups and it increases with different functional groups of organic molecule. The barrier height φb value of the n-Si/TDA diode is smaller than that of p-Si/ODM diode, as a result of chain length of the SAM organic molecules. The interface state density Dit values of the diodes were determined using conductance technique. The n-Si/TDA diode has the smaller interface state density according to p-Si/ODM diode. We have evaluated that the organic molecules control the electronic parameters of metal/semiconductor diodes and thus, organic modification helps to get one step closer towards to new organic assisted silicon based microelectronic devices.Article Citation - WoS: 74Humidity Sensing Properties of Zno-Based Fibers by Electrospinning(Elsevier Ltd., 2011) Horzum Polat, Nesrin; Taşçıoğlu, Didem; Okur, Salih; Demir, Mustafa Muammer; Demir, Mustafa Muammer; 04.05. Department of Pyhsics; 03.09. Department of Materials Science and Engineering; 03. Faculty of Engineering; 04. Faculty of Science; 01. Izmir Institute of TechnologyZinc oxide (ZnO) based fibers with a diameter of 80-100 nm were prepared by electrospinning. Polyvinyl alcohol (PVA) and zinc acetate dihydrate were dissolved in water and the polymer/salt solution was electrospun at 2.5 kV cm-1. The resulting electrospun fibers were subjected to calcination at 500 °C for 2 h to obtain ZnO-based fibers. Humidity sensing properties of the fiber mats were investigated by quartz crystal microbalance (QCM) method and electrical measurements. The adsorption kinetics under constant relative humidity (RH) between 10% and 90% were explained using Langmuir adsorption model. Results of the measurements showed that ZnO-based fibers were found to be promising candidate for humidity sensing applications at room temperature.