Chemistry / Kimya
Permanent URI for this collectionhttps://hdl.handle.net/11147/4072
Browse
4 results
Search Results
Research Project Üstüniletken MgB2 tellerin üretimi ve karakterizasyonu(TÜBİTAK - Türkiye Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Kurumu, 2005) Okur, Salih; Özyüzer, Lütfi; Abukay, Doğan; Emirdağ, Mehtap; Tanoğlu, Metin; Eğilmez, MehmetMgB2 alaşımının 39 K lik Tc kritik sıcaklığına sahip bir üstüniletken olduğunun 2001 de keşfedilmesi çok iyi üstüniletken olduğu bilinen NbTi ve NbsSn malzemelerinin yanısıra uygulamaya daha yakın yeni bir üstüniletken malzeme olma ümidini de artırmıştır. O günden bu güne MgB2 üstüniletken tellerin üretilmesi konusunda çok etkileyici bir aşama kaydedilmiştir. Daha yüksek kritik akım yoğunluğuna ulaşmak için gerekli parametrelerin araştırılması konusunda birkaç teknik geliştirilmiştir. Bunların arasında 'tüp içinde toz ' (TIT) adı verilen metot diğerlerine göre daha pratik ve ümit verici gözükmektedir. Bazı metal ve alaşımların TIT işleminde kılıf malzeme olarak kullanılmaya uygun bulunmuştur. Bunlardan demir ve alaşımları kısmen MgB2 özelliğini bozmadığı gibi manyetik ekranlama yaparak dış manyetik alanların kritik akım üzerindeki yan etkilerini azaltarak daha yüksek değerlere ulaşılmıştır. TIT yöntemi ile MgB2 üretimi sırasında iki farklı teknik vardır. Birisinde reaktif MgB2 tozlar kulanılırken diğerinde belli kimyasal oranlarda karıştırılmış reaktif olmayan Mg+2B tozları kullanılmaktadır. Daha sonra bu tozlar reaksiyon yapmayan bir tüp veya kapsül içine kapatılıp 900 ile 1000 °C civarında belirli bir süre tavlanmaktadır. Bu yöntem ile Demir kılıflı MgB2 üstüniletken tellerinden 15 K de 10 A/cm civarında bir Jc kritik akım yoğunluğuna ulaşılmıştır. Bu projede ilk adım olarak borik asitten M&B2 elde edilmiş ve elde edilen MgB2 in yapısını XRD ve SEM EDX mikroskopu ile karakterize edilmiştir. Uygun bir saflığa sahip MgB2 e ulaşıldığında elektriksel ve manyetik özellikleri pellet haline getirilip incelenmiştir, ikinci adımda ise üretilen MgB2 tozlarından üstüniletken MgB2 tel ve teyplerin TIT yöntemi ile üretilmiştir ve Cu, Fe, ve paslanmaz çelik gibi MgB2 ile etkileşmeyen malzemeler kılıf olarak kullanılanarak üretilmeye çalışılmış ve bu üstüniletken MgB2 tellerin özdirenç ve manyetik alana bağlı olarak kritik akım (Jc) karakteristiğinin sıcaklığa bağımlılığı incelenmiştir.Research Project Üstüniletken magnezyum borür (MgB2) tellerinin yüksek akım ve yüksek manyetik alan uygulamaları için geliştirilmesi(2008) Okur, Salih; Tarhan, Enver; Büyükköse, Serkan; Özyüzer, Lütfi; Tanoğlu, Metin; Emirdağ, Mehtap[No Abstract Available]Article Citation - WoS: 12Citation - Scopus: 12Modification of Metal/Semiconductor Junctions by Self-Assembled Monolayer Organic Films(Elsevier Ltd., 2009) Yakuphanoğlu, Fahrettin; Okur, Salih; Özgener, HüseyinTwo new metal/molecule/semiconductor contacts, Au/n-Si/TDA/Au and Au/p-Si/ODM/Au, were fabricated to understand effect of organic compounds, tridecylamine and octadecylmercaptan self-assembled monolayer (SAM) films, on electrical charge transport properties of the metal/semiconductor junctions. The morphology of the organic monolayers deposited on Si substrates was investigated by atomic force microscopy. The molecular coverage of ODM deposited on p-Si is poorer than that of TDA on n-Si substrate. The ideality factors of the p-Si/ODM and n-Si/TDA diodes were found to be 1.66 and 1.48, respectively. The electrical results show that the tridecylamine monolayer passivated junction has a lower ideality factor. The ideality factor indicates clear dependence on two different type functional groups R-SH (Thiol) and R-NH2 (Amin) groups and it increases with different functional groups of organic molecule. The barrier height φb value of the n-Si/TDA diode is smaller than that of p-Si/ODM diode, as a result of chain length of the SAM organic molecules. The interface state density Dit values of the diodes were determined using conductance technique. The n-Si/TDA diode has the smaller interface state density according to p-Si/ODM diode. We have evaluated that the organic molecules control the electronic parameters of metal/semiconductor diodes and thus, organic modification helps to get one step closer towards to new organic assisted silicon based microelectronic devices.Article Citation - WoS: 82Citation - Scopus: 92Metal Ion Release From Nitrogen Ion Implanted Cocrmo Orthopedic Implant Material(Elsevier Ltd., 2006) Öztürk, Orhan; Türkan, Uğur; Eroğlu, Ahmet EminCoCrMo alloys are used as orthopedic implant materials because of their excellent mechanical and corrosion properties. However, when placed in vivo, these alloys release Co, Cr, Mo ions to host tissues, which may give rise to significant health concerns over time. Nitrogen ion implantation can be used to form protective layers on the surface of CoCrMo orthopedic alloys by modifying the near surface layers of these materials. In this study, medical grade CoCrMo alloy (IS0 5832-12) was ion implanted with 60 keV nitrogen ions to a high dose of 1.9 × 10 18 ions/cm 2 at substrate temperatures of 100, 200 and 400 °C. The N implanted layer microstructures, implanted layer phases, and thicknesses were studied by a combination of Bragg-Brentano (θ/2θ) and grazing incidence (Seeman-Bohlin) X-ray diffraction (XRD and GIXRD) and cross-sectional scanning electron microscopy (SEM). Atomic force microscopy (AFM) was used for roughness analysis of N implanted as well as as-polished surfaces. Static immersion tests were performed to investigate metal ion release into simulated body fluid (SBF) by electrothermal atomic absorption spectrometry (ETAAS) and inductively coupled plasma optical emission spectrometry (ICP-OES). XRD and SEM analyses indicated that the N implanted layers were ∼ 150-450 nm thick and composed of the (Co,Cr,Mo) 2+xN nitride phase and a high N concentration Co-based FCC phase, γ N depending on the substrate temperature. ETAAS analysis results showed that in vitro exposure of the N implanted surfaces resulted in higher levels of cobalt ion release into the simulated body fluid compared to the untreated, polished alloy. The higher Co release from the N implanted specimens is attributed to the nature of the implanted layer phases as well as to the rougher surfaces associated with the N implanted specimens compared to the relatively smooth surface of the untreated material. SEM analysis of N implanted and untreated specimens after immersion tests clearly indicated calcium phosphate formation on the as-polished CoCrMo alloy, indicating a degree of bioactivity of the untreated metal surface which is absent in the N implanted specimens.